Doteermiddelprofilering SIMS en SRP

In halfgeleidertechnologie is een doteermiddel een spoorelement dat wordt ingevoegd in een substraat of laag om de geleidbaarheid ervan te bepalen. Dotering is één van de belangrijkste processen in de halfgeleiderindustrie. Aangezien kleine variaties in de verdeling van het doteermiddel de werking van een micro-elektrisch apparaat drastisch kunnen beïnvloeden, is het belangrijk om te controleren of de juiste hoeveelheid wordt gebruikt tijdens het productieproces.

Profilering van doteermiddel van SGS geeft u alle nodige informatie om te zorgen dat uw product de correcte concentratie doteermiddel heeft en werkt zoals het moet.

SGS - een vertrouwde leverancier

Ons instituut in Dresden is één van de oudste laboratoria in micro-elektronica. Onze faciliteiten hebben een bewezen geschiedenis van service van de hoogste kwaliteit. Wij doen het volgende:

• Diepteprofilering van doteermiddelen en contaminanten met secundaire ionmassa spectrometrie (klassieke dynamische SIMS en TOF-SIMS). 
• We meten ook elektrisch actieve doteermiddelen met gebruik van:
  • Spreading resistance profiling (SRP)
  • Scansondetechnieken voor 2D-profilering

SIMS en SRP zijn uiterst gevoelig en leveren een hoog dynamisch bereik. Ze vullen elkaar ook perfect aan.

Neem contact op met SGS om te weten te komen hoe doteermiddelprofilering uw bedrijf kan helpen.