Pyyhkäisyelektronimikroskopia (SEM) ja läpäisyelektronimikroskopia (TEM) ovat standardiin perustuvia kuvantamistekniikoita puolijohdekomponenttien analysoimiseksi ja ovat tärkeitä työkaluja laadunvalvontamentelmässäsi, virheanalyysissa tai tutkimus- ja kehityskäytössä.
Molempia tekniikoita voidaan käyttää poikkileikkauksissa laitteiden vertikaalisen rakenteen tutkimiseksi. Poikkileikkauksia voidaan tehdä erilaisin tavoin. Focus Ion Beamin (FIB) käytöstä, usein yhdessä SEM:n kanssa, yhdessä työkalussa on tullut kaikkein yleisin valmistustekniikka.
SEM- jaTEM-tekniikoilla poikkileikkausten tekeminen on SGS:n erityispalvelu. Asiantuntijamme työskentelevät korkean suorituskyvyn laitteiden kanssa saadakseen äärimmäisen yksityiskohtaisia kuvia, kun tarvitset suuremman erottelutarkkuuden kuin optinen mikroskooppi pystyy antamaan.
Käytämme SEM- jaTEM-tekniikoilla tehtäviä poikkileikkauksia moniin analyyttisiin tarkoituksiin, mukaan lukien:
- fyysinen häiriöanalyysi
- valmistuksen analyysi
- käänteistekniikka
Ota meihin yhteyttä, niin kerromme lisää siitä, kuinka SEM- ja TEM-tekniikoilla tehtävä poikkileikkaus voi olla merkittävä apu tuotteidesi laadunvalvonnassa.