Rasterelektronenmikroskopie (REM) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) sind Standard-Bildgebungsverfahren für die Analyse von Halbleitergeräten und stellen wichtige Tools im Qualitätskontrollverfahren bei Ausfallanalysen oder in Forschung und Entwicklung dar.
Beide Methoden können bei Querschnitten angewandt werden, um die vertikale Struktur der Geräte zu untersuchen. Querschnittsuntersuchungen können auf unterschiedliche Arten vorgenommen werden. Die Anwendung des Focus Ion Beam (FIB), oft in Kombination mit SEM, ist zu einem der gängigsten Tools in der Vorbereitungstechnik geworden.
REM- und TEM-Querschnitte sind ein Spezialservice von SGS. Unsere erfahrenen Mitarbeiter arbeiten mit sehr leistungsstarken Geräten, um hochwertige, detailgetreue Bilder zu liefern. Diese Technik findet Anwendung, wenn ein Bild mit höherer Auflösung benötigt wird, als ein optisches Mikroskop sie bieten kann.
Wir verwenden REM- und TEM-Querschnitte für viele Analysezwecke, wie:
- technische Fehleranalyse
- Konstruktionsanalyse
- Reverse Engineering
REM- und TEM-Querschnitte sind wichtig bei der Qualitätskontrolle Ihrer Produkte. Wenden Sie sich an SGS.